粒界なし安定した性能
単結晶シリコン
単結晶シリコンは、完全な結晶構造を持つシリコン材料です。N型シリコンやP型シリコンにドーピングすることで、さまざまな用途要件に対応し、半導体および光学分野における中核材料となります。
単結晶シリコンは、完全な結晶構造を持つシリコン材料です。N型シリコンやP型シリコンにドーピングすることで、さまざまな用途要件に対応し、半導体および光学分野における中核材料となります。
単結晶シリコンは半導体における一般的な材料であり、優れた特性を持っています。Jundro セラミックスは超硬材料メーカーであり、N型シリコンおよびP型シリコンの精密加工を提供できます。豊富な経験と多様な設備により、お客様の用途ニーズを完璧に満たします。
結晶構造が完全で欠陥がない
高い電子移動度
耐高温性、過酷な環境に適応
耐曲げ性と耐摩耗性
純度が制御可能で、N型とP型に分けられ、さまざまな用途要件に対応
超精密加工が可能
以下の表は、酸化マグネシウム安定化ジルコニアセラミックスの性能パラメータを示しています。これらの値は参考用であり、バッチ条件によって若干異なる場合があります。
| 特性 | 記号（単位） | Mono-Si |
|---|---|---|
| 格子 | — | ダイヤモンド立方晶 (Fd3m) |
| 格子定数 | a (Å) | 5.431 |
| 密度 | ρ (g/cm³) | 2.329 |
| 融点 | T_m (°C) | 1414 |
| 特性 | 記号（単位） | Mono-Si |
|---|---|---|
| ヤング率 | E (GPa) | 130 - 188 |
| ポアソン比 | v | 0.22 |
| 破壊靭性 | K_IC (MPa·m¹/²) | 0.6 - 0.9 |
| 熱伝導率 | κ (W/m·K) | 148 @ 300 K |
| 比熱 | C_p (J/kg·K) | 700 @ 300 K |
| 熱膨張係数 | α (10⁻⁶/K) | 2.6 @ 25 - 300 °C |
| 特性 | 記号（単位） | Mono-Si |
|---|---|---|
| バンドギャップ | E_g (eV) | 1.12 @ 300 K |
| 真性キャリア濃度 | n_i (cm⁻³) | 1 × 10¹⁰ @ 300 K |
| 比誘電率 | ε_r | 11.7 |
| 電子移動度 | μ_n (cm²/V·s) | ≈ 1,350 @ 300 K |
| 正孔移動度 | μ_p (cm²/V·s) | ≈ 450 @ 300 K |
| 屈折率 | n | 3.88 |
| 表面張力 | γ (J/m²) | 1.24 |
単結晶シリコン（Mono-Si）の限界に達する過酷な環境では、 炭化ケイ素 （SiC）が優れた代替手段を提供します。高い熱伝導率、広いバンドギャップ、優れた安定性により、SiCは高温・高電力用途に最適です。
単結晶シリコンは、均一な結晶構造を持つ高純度材料であり、半導体、光学、MEMS用途で広く使用されています。
ウェーハ、ブロック、リング、プレート、レンズ、ウィンドウ、および図面に応じたカスタム精密部品を加工できます。
一般的な用途としては、半導体デバイス、MEMS部品、光学窓、赤外線部品、精密治具、高安定性構造部品などがあります。
Macorは、ホウケイ酸ガラスマトリックスにフッ素金雲母の結晶を埋め込んだ加工可能なガラスセラミックスです。この組成により、
金属のような加工性、優れた電気絶縁性、低熱伝導率、そして1000°C（無負荷時）までの安定性を兼ね備え、非常に厳しい公差を維持します。
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