Los equipos semiconductores avanzados operan en entornos de alta temperatura, vacío, plasma y ultra limpios. La pureza del material cerámico, la estabilidad térmica y la precisión afectan directamente el rendimiento y la confiabilidad del chip.
Los equipos y procesos semiconductores (como sistemas de implantación iónica, conjuntos de fuentes de iones, cámaras PVD/CVD, deposición de películas delgadas y máquinas de litografía) utilizan una gran cantidad de componentes avanzados de cerámica y vidrio óptico.
Utilizando materiales como Al₂O₃, AlN, SiC, cuarzo y Zerodur, desarrollamos componentes prototipo personalizados diseñados para ofrecer rendimiento y confiabilidad a largo plazo.
Con nuestra capacidad avanzada de mecanizado de 5 ejes y años de experiencia en fabricación, podemos transformar sus requisitos de diseño específicos en componentes de alta precisión y brindar un sólido soporte para el desarrollo de prototipos semiconductores.
Nuestros componentes cerámicos avanzados se utilizan ampliamente en equipos semiconductores, incluidos sistemas de fotolitografía, equipos de grabado por plasma, cámaras de deposición CVD/PVD, herramientas de fabricación de obleas y sistemas de deposición de películas delgadas.
Nuestro avanzado mecanizado de 5 ejes y años de experiencia nos permiten producir componentes semiconductores con una planitud de hasta 1 μm.
En la fabricación de semiconductores, la selección de materiales es crítica para garantizar alta precisión, estabilidad térmica, resistencia química y rendimiento ultra limpio. Los siguientes materiales cerámicos y de vidrio avanzados se utilizan ampliamente en sistemas de procesamiento de obleas, grabado, deposición e inspección.
Los siguientes ejemplos muestran componentes cerámicos de precisión personalizados fabricados para equipos semiconductores y aplicaciones relacionadas de alta precisión.
Nuestros servicios de mecanizado ofrecen componentes prototipo de alta precisión y alto valor para procesos de fabricación de semiconductores.
| Capacidad | MACOR | Nitruro de aluminio | Alúmina | Carburo de silicio | Nitruro de silicio |
|---|---|---|---|---|---|
| Planitud | 0.002 mm | 0.001 mm | 0.001 mm | 0.001 mm | 0.001 mm |
| Concentricidad | 0.005 mm | 0.005 mm | 0.005 mm | 0.005 mm | 0.005 mm |
| Cilindricidad | 0.001 mm | 0.001 mm | 0.001 mm | 0.001 mm | 0.001 mm |
| Paralelismo | 0.001 mm | 0.001 mm | 0.001 mm | 0.001 mm | 0.001 mm |
| Pared (mín.) | 0.05 | 0.1 | 0.1 | 0.2 | 0.4 |
| Diámetro de agujero (mín.) | 0.05 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.3 |
| Ranura (mín.) | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.5 | 1.0 |
| Rosca (mín.) | M1.2 | M1.6 | M1.6 | M1.6 | M2.0 |
| Pulido | Ra0.03 μm | Ra0.03 μm | Ra0.02 μm | Ra0.005 μm | Ra0.005 μm |
| Chorro de arena | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 2.0 | 2 |
| Capacidad | Zerodur | Optical Vidrio |
|---|---|---|
| Planitud | 1/20 λ | 0.001 mm |
| Concentricidad | 0.005 mm | 0.005 mm |
| Cilindricidad | 0.001 mm | 0.001 mm |
| Paralelismo | 0.001 mm | 0.001 mm |
| Min. Wall Thickness | 0.2 | 0.2 |
| Min. Hole Diameter | 0.1 | 0.1 |
| Min. Slot Width | 0.3 | 0.2 |
| Min. Internal Thread | M2.0 | M2.0 |
| Pulido | Ra0.005 μm | Ra0.002 μm |
| Chorro de arena | 3 | 3 |
Aviso: Las tolerancias alcanzables reales pueden variar según las propiedades del material, la geometría de la pieza y las dimensiones.
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