Einkristallines Silizium ist ein Siliziummaterial mit vollständiger Kristallstruktur. Es kann zu N-Typ-Silizium oder P-Typ-Silizium dotiert werden, um unterschiedliche Anwendungsanforderungen zu erfüllen, und wird zu einem Kernmaterial in den Bereichen Halbleiter und Optik.
Einkristallines Silizium ist ein gängiges Material in Halbleitern mit hervorragenden Eigenschaften. Jundro Keramik ist ein Hersteller von ultra-harten Materialien, der Präzisionsbearbeitung von N-Typ-Silizium und P-Typ-Silizium anbieten kann. Mit unserer reichen Erfahrung und vielfältigen Ausrüstung können wir Ihre Anwendungsanforderungen perfekt erfüllen.
Die Kristallstruktur ist vollständig und fehlerfrei
Hohe Elektronenmobilität
Hitzebeständig, geeignet für raue Umgebungen
Biegefestigkeit und Verschleißfestigkeit
Kontrollierbare Reinheit, unterteilt in N-Typ und P-Typ, um unterschiedliche Anwendungsanforderungen zu erfüllen
Kann ultrapräzise bearbeitet werden
Die folgende Tabelle listet die Leistungsparameter von Magnesiumoxid-stabilisierten Zirkonoxid-Keramiken auf. Diese Werte dienen nur als Referenz und können je nach Chargenbedingungen leicht variieren.
| Eigenschaft | Symbol (Einheit) | Mono-Si |
|---|---|---|
| Gitter | — | Diamantkubisch (Fd3m) |
| Gitterkonstante | a (Å) | 5.431 |
| Dichte | ρ (g/cm³) | 2.329 |
| Schmelzpunkt | T_m (°C) | 1414 |
| Eigenschaft | Symbol (Einheit) | Mono-Si |
|---|---|---|
| Elastizitätsmodul | E (GPa) | 130 - 188 |
| Poissonzahl | v | 0.22 |
| Bruchzähigkeit | K_IC (MPa·m¹/²) | 0,6 - 0,9 |
| Wärmeleitfähigkeit | κ (W/m·K) | 148 @ 300 K |
| Spezifische Wärme | C_p (J/kg·K) | 700 @ 300 K |
| Wärmeausdehnungskoeffizient | α (10⁻⁶/K) | 2.6 @ 25 - 300 °C |
| Eigenschaft | Symbol (Einheit) | Mono-Si |
|---|---|---|
| Bandlücke | E_g (eV) | 1.12 @ 300 K |
| Intrinsische Ladungsträgerkonzentration | n_i (cm⁻³) | 1 × 10¹⁰ @ 300 K |
| Relative Permittivität | ε_r | 11.7 |
| Elektronenbeweglichkeit | μ_n (cm²/V·s) | ≈ 1,350 @ 300 K |
| Löcherbeweglichkeit | μ_p (cm²/V·s) | ≈ 450 @ 300 K |
| Brechungsindex | n | 3.88 |
| Oberflächenspannung | γ (J/m²) | 1.24 |
In anspruchsvollen Umgebungen, in denen Einkristall-Silizium (Mono-Si) an seine Grenzen stößt, Siliziumkarbid (SiC) bietet eine überlegene Alternative. Mit höherer Wärmeleitfähigkeit, größerer Bandlücke und besserer Stabilität ist SiC ideal für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.
Einkristallines Silizium ist ein hochreines Material mit einer gleichmäßigen Kristallstruktur, das häufig in Halbleitern, Optik und MEMS-Anwendungen verwendet wird.
Wir können Wafer, Blöcke, Ringe, Platten, Linsen, Fenster und kundenspezifische Präzisionsteile nach Zeichnung bearbeiten.
Zu den üblichen Anwendungen gehören Halbleiterbauelemente, MEMS-Komponenten, optische Fenster, Infrarotteile, Präzisionshalterungen und hochstabile Strukturbauteile.
Macor ist eine bearbeitbare Glaskeramik aus Fluorphlogopit-Glimmerkristallen, eingebettet in eine Borosilikatglas-Matrix. Diese Zusammensetzung verleiht ihr eine seltene
Kombination aus metallähnlicher Bearbeitbarkeit, hervorragender elektrischer Isolierung, geringer Wärmeleitfähigkeit und Stabilität bis 1000 °C (ohne Last) bei gleichzeitiger Einhaltung sehr enger Toleranzen.
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