Moderne Halbleiteranlagen arbeiten in Umgebungen mit hohen Temperaturen, Vakuum, Plasma und Ultrareinheit. Die Reinheit, thermische Stabilität und Präzision von Keramikmaterialien wirken sich direkt auf die Chipausbeute und Zuverlässigkeit aus.
Halbleiteranlagen und -prozesse (wie Ionenimplantationssysteme, Ionenquellenbaugruppen, PVD/CVD-Kammern, Dünnschichtabscheidung und Lithografiemaschinen) verwenden eine Vielzahl fortschrittlicher Keramik- und optischer Glaskomponenten.
Unter Verwendung von Materialien wie Al₂O₃, AlN, SiC, Quarz und Zerodur entwickeln wir kundenspezifische Prototypenkomponenten, die für langfristige Leistung und Zuverlässigkeit ausgelegt sind.
Mit unserer fortschrittlichen 5-Achs-Bearbeitung und langjähriger Fertigungserfahrung können wir Ihre spezifischen Designanforderungen in hochpräzise Komponenten umsetzen und starke Unterstützung für die Halbleiter-Prototypenentwicklung bieten.
Unsere fortschrittlichen Keramikkomponenten werden häufig in Halbleiteranlagen eingesetzt, darunter Fotolithografiesysteme, Plasmaätzgeräte, CVD/PVD-Abscheidungskammern, Wafer-Herstellungswerkzeuge und Dünnschichtabscheidungssysteme.
Unsere fortschrittliche 5-Achs-Bearbeitung und langjährige Erfahrung ermöglichen es uns, Halbleiterkomponenten mit einer Ebenheit von bis zu 1 µm herzustellen.
In der Halbleiterfertigung ist die Materialauswahl entscheidend, um hohe Präzision, thermische Stabilität, chemische Beständigkeit und Ultrareinheit zu gewährleisten. Die folgenden fortschrittlichen Keramik- und Glasmaterialien werden häufig in Waferverarbeitungs-, Ätz-, Abscheidungs- und Inspektionssystemen verwendet.
Die folgenden Beispiele zeigen kundenspezifische Präzisionskeramikkomponenten, die für Halbleiterausrüstung und verwandte Hochpräzisionsanwendungen gefertigt wurden.
Unsere Bearbeitungsdienstleistungen liefern hochwertige, hochpräzise Prototypenkomponenten für Halbleiterfertigungsprozesse.
| Fähigkeit | MACOR | Aluminiumnitrid | Aluminiumoxid | Siliziumkarbid | Siliziumnitrid |
|---|---|---|---|---|---|
| Ebenheit | 0,002mm | 0,001mm | 0,001mm | 0,001mm | 0,001mm |
| Konzentrizität | 0,005mm | 0,005mm | 0,005mm | 0,005mm | 0,005mm |
| Zylindrizität | 0,001mm | 0,001mm | 0,001mm | 0,001mm | 0,001mm |
| Parallelität | 0,001mm | 0,001mm | 0,001mm | 0,001mm | 0,001mm |
| Wandstärke (Min.) | 0.05 | 0.1 | 0.1 | 0.2 | 0.4 |
| Loch-Ø (Min.) | 0.05 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.3 |
| Schlitz (Min.) | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.5 | 1.0 |
| Gewinde (Min.) | M1,2 | M1,6 | M1,6 | M1,6 | M2,0 |
| Polieren | Ra0,03 μm | Ra0,03 μm | Ra0,02 μm | Ra0,005 μm | Ra0,005 μm |
| Sandstrahlen | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 2.0 | 2 |
| Fähigkeit | Zerodur | Optical Glass |
|---|---|---|
| Ebenheit | 1/20 λ | 0,001mm |
| Konzentrizität | 0,005mm | 0,005mm |
| Zylindrizität | 0,001mm | 0,001mm |
| Parallelität | 0,001mm | 0,001mm |
| Min. Wandstärke | 0.2 | 0.2 |
| Min. Lochdurchmesser | 0.1 | 0.1 |
| Min. Schlitzbreite | 0.3 | 0.2 |
| Min. Innengewinde | M2,0 | M2,0 |
| Polieren | Ra0,005 μm | Ra0,002 μm |
| Sandstrahlen | 3 | 3 |
Haftungsausschluss: Die tatsächlich erreichbaren Toleranzen können je nach Materialeigenschaften, Bauteilgeometrie und Abmessungen variieren.
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